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Germany2SA1312GRTE85LF
元器件型号详细信息
原厂型号
2SA1312GRTE85LF
摘要
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 S-Mini
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
150 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
基本产品编号
2SA1312
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
Q11724728
2SA1312-GR(TE85L,F
2SA1312GRTE85LFDKR
2SA1312GRTE85LFTR
2SA1312GRTE85LFCT
2SA1312-GR (TE85L,F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF
相关文档
规格书
1(2SA1312)
EDA 模型
1(2SA1312-GR(TE85L,F by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $0.50561
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : 2SA1163-GR,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 18,000
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 直接
库存 : 18,000
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 直接