元器件型号详细信息

原厂型号
SI4160DY-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 25.4A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.9 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2071 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
SI4160

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI4160DY-T1-GE3TR
SI4160DY-T1-GE3-ND
SI4160DY-T1-GE3CT
SI4160DYT1GE3
SI4160DY-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI4160DY-T1-GE3

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规格书
1(SI4160DY)
PCN 组装/来源
1(Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023)
HTML 规格书
1(SI4160DY)

价格

数量: 2500
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包装: 卷带(TR)
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