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GermanyFDN028N20
元器件型号详细信息
原厂型号
FDN028N20
摘要
MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 6.1A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
FDN028
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDN028N20OSTR
FDN028N20OSDKR
FDN028N20OSCT
FDN028N20-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDN028N20
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规格书
1(FDN028N20)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FDN028N20)
EDA 模型
1(FDN028N20 by Ultra Librarian)
价格
数量: 30000
单价: $1.25981
包装: 卷带（TR）
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