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元器件型号详细信息
原厂型号
STR1P2UH7
摘要
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1.4A（Ta） 350mW（Tc） SOT-23-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ H7
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
STR1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
497-15519-2
497-15519-1
497-15519-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STR1P2UH7
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规格书
1(STR1P2UH7)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices OBS 07/Feb/2018)
HTML 规格书
1(STR1P2UH7)
价格
-
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