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GermanySTH47N60DM6-2AG
元器件型号详细信息
原厂型号
STH47N60DM6-2AG
摘要
POWER TRANSISTORS
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 36A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2350 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STH47
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-STH47N60DM6-2AGTR
497-STH47N60DM6-2AGCT
497-STH47N60DM6-2AGDKR
STH47N60DM6-2AG-ND
-1138-STH47N60DM6-2AGCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STH47N60DM6-2AG
相关文档
规格书
1(STH47N60DM6-2AG)
PCN 设计/规格
1(SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 9/Dec/2020)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
EDA 模型
1(STH47N60DM6-2AG by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $31.65724
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $32.87479
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最小包装数量: 1000
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替代型号
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