IPP60R099C6XKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP60R099C6XKSA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3

详情

通孔 N 通道 600 V 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO220-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

37.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

99 毫欧 @ 18.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1.21mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

119 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2660 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

278W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP60R099

其它名称

IPP60R099C6

SP000687556

IPP60R099C6-ND

448-IPP60R099C6XKSA1

IPP60R099C6XKSA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP60R099C6XKSA1

价格

数量: 2000

单价: $32.40667
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $33.65305
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $38.63876
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $44.3724
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $53.598
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $59.31
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : TSM60NB099CZ C0G

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 0
单价. : ¥102.95000
替代类型. : 直接

型号 : STP34NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥79.82000
替代类型. : 类似

型号 : STP40N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥53.82000
替代类型. : 类似

型号 : TK25E60X5,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥36.49000
替代类型. : 类似

型号 : IXKC23N60C5

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥92.12340
替代类型. : 类似

型号 : STP34NM60ND

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥90.07000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP32N65XM

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥47.39100
替代类型. : 类似

KJL5E15B18SN DTS24T25-29SB [V001]MHQ0402P5N1JT000 SMDTD02330QA00MS00 ELFR09220

IPP60R099C6XKSA1

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