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GermanyTSM1N80CW RPG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM1N80CW RPG
摘要
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 300mA（Ta） 2.1W（Tc） SOT-223
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21.6 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
TSM1N80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM1N80CW RPGCT
TSM1N80CWRPGCT
TSM1N80CWRPGTR
TSM1N80CW RPGDKR
TSM1N80CW RPGDKR-ND
TSM1N80CW RPGTR
TSM1N80CW RPGCT-ND
TSM1N80CWRPGDKR
TSM1N80CW RPGTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N80CW RPG
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规格书
1(TSM1N80)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Sep/2017)
HTML 规格书
1(TSM1N80)
价格
-
替代型号
-