元器件型号详细信息

原厂型号
TPC6111(TE85L,F,M)
摘要
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSV
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
VS-6(2.9x2.8)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
TPC6111

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

TPC6111TE85LFDKR
TPC6111(TE85L,F)
TPC6111TE85LFDKR-ND
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFTR
TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111(TE85LFM)TR
TPC6111(TE85LFM)DKR
TPC6111TE85LFCT-ND
TPC6111TE85LFTR-ND
TPC6111TE85LFM

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111(TE85L,F,M)

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价格

-

替代型号

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