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GermanyPSMN2R2-40YSDX
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN2R2-40YSDX
摘要
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 180A（Ta） 166W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5130 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
166W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
基本产品编号
PSMN2R2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1727-PSMN2R2-40YSDXCT
1727-PSMN2R2-40YSDXTR
934660734115
1727-PSMN2R2-40YSDXDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40YSDX
相关文档
规格书
1(PSMN2R2-40YSD)
特色产品
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
价格
数量: 10500
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替代型号
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