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GermanyIPA65R190C6XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPA65R190C6XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详情
通孔 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3-111
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
73 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1620 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-111
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPA65R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPA65R190C6-ND
INFINFIPA65R190C6XKSA1
IPA65R190C6
SP000863892
2156-IPA65R190C6XKSA1-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1
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1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
PCN 设计/规格
1(LeadFrame Design Chg 25/May/2016)
PCN 组装/来源
1(Fab/Test Site Transfer 28/May/2015)
HTML 规格书
1(IPx65R190C6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)
价格
-
替代型号
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