元器件型号详细信息

原厂型号
SIR150DP-T1-RE3
摘要
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
详情
表面贴装型 N 通道 45 V 30.9A(Ta),110A(Tc) 5.2W(Ta),65.7W(Tc) PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30.9A(Ta),110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.71毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4000 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W(Ta),65.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR150

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

742-SIR150DP-T1-RE3CT
742-SIR150DP-T1-RE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIR150DP-T1-RE3

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价格

数量: 3000
单价: $2.96588
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.17777
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最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
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