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20250408
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元器件资讯
库存查询
BZD17C120P R3G
元器件型号详细信息
原厂型号
BZD17C120P R3G
摘要
DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
详情
二极管 - 齐纳 120 V 800 mW ±5.41% 表面贴装型 Sub SMA
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,800
供应商库存
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技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
120 V
容差
±5.41%
功率 - 最大值
800 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
300 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 91 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-219AB
供应商器件封装
Sub SMA
基本产品编号
BZD17
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
BZD17C120P R3G-ND
BZD17C120PR3G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P R3G
相关文档
规格书
1(BZD17C Series)
环保信息
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价格
-
替代型号
型号 : BZD27C110P-M3-18
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 7,840
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 类似
型号 : BZD27C110P-E3-08
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 2,430
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
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