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GermanyBCR08PNE6327BTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BCR08PNE6327BTSA1
摘要
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 170MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 跃迁
170MHz
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BCR08
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SP000010727
BCR 08PN E6327
BCR08PNE6327INCT
BCR08PNE6327BTSA1TR
BCR08PNE6327XT
BCR08PNE6327
BCR08PNE6327BTSA1CT
BCR08PNE6327INTR-ND
BCR08PNE6327INDKR-ND
BCR08PNE6327INTR
BCR08PNE6327INCT-ND
BCR08PNE6327INDKR
BCR 08PN E6327-ND
BCR08PNE6327BTSA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/Infineon Technologies BCR08PNE6327BTSA1
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规格书
1(BCR08PN)
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Mar/2011)
HTML 规格书
1(BCR08PN)
价格
-
替代型号
型号 : SMUN5335DW1T1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
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型号 : MUN5335DW1T1G
制造商 : onsemi
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型号 : DCX123JUQ-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
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型号 : PUMD24,115
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型号 : SMUN5335DW1T2G
制造商 : onsemi
库存 : 21,240
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.26000
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