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GermanyIXFP12N65X2M
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFP12N65X2M
摘要
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详情
通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 40W（Tc） TO-220 隔离的标片
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
55 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
310 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1134 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
基本产品编号
IXFP12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFP12N65X2M
相关文档
规格书
()
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020)
价格
数量: 2000
单价: $16.86
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $17.74737
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $21.04334
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $24.7192
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $30.169
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $33.63
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STF16N60M6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,190
单价. : ¥22.50000
替代类型. : 直接
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库存 : 216
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库存 : 1,000
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替代类型. : 类似
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单价. : ¥38.08000
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库存 : 595
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库存 : 648
单价. : ¥47.14000
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