English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNTD4909NT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTD4909NT4G
摘要
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A（Ta），41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1314 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.37W（Ta），29.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NTD4909
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTD4909NT4GOSTR
NTD4909NT4GOSCT
ONSONSNTD4909NT4G
NTD4909NT4GOSDKR
NTD4909NT4G-ND
2156-NTD4909NT4G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTD4909NT4G
相关文档
规格书
1(NTD4909N)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTD4909N)
EDA 模型
1(NTD4909NT4G by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : FDD6670A
制造商 : onsemi
库存 : 613
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
库存 : 613
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
型号 : IPD090N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 57,109
单价. : ¥6.28000
替代类型. : 类似
库存 : 57,109
单价. : ¥6.28000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3707ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,738
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 类似
库存 : 1,738
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 类似
型号 : IPD30N03S4L09ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 53,196
单价. : ¥8.43000
替代类型. : 类似
库存 : 53,196
单价. : ¥8.43000
替代类型. : 类似