元器件型号详细信息

原厂型号
BSC014N06NSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8-17
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.45 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
89 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6500 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-17
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC014

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP000924886
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSATMA1TR
BSC014N06NSTR
BSC014N06NSDKR-ND
BSC014N06NS-ND
BSC014N06NSATMA1DKR
BSC014N06NSTR-ND
BSC014N06NS
BSC014N06NSCT-ND
BSC014N06NSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC014N06NSATMA1

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PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
HTML 规格书
1(BSC014N06NS)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 5000
单价: $13.76826
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $14.30609
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $15.05902
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.85564
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.975
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $25.599
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $28.54
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
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数量: 100
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FDMS86550ET60
制造商 : onsemi
库存 : 8,895
单价. : ¥59.86000
替代类型. : 类似