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20251128
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元器件资讯
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SIA921EDJ-T4-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIA921EDJ-T4-GE3
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
59 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双
基本产品编号
SIA921
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3
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规格书
1(SIA921EDJ)
PCN 设计/规格
1(SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Addition 22/Jun/2015)
HTML 规格书
1(SIA921EDJ)
价格
数量: 3000
单价: $1.96082
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : PMDPB58UPE,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 6,320
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
型号 : DMP2160UFDBQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 109,858
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似
型号 : PMDPB55XP,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
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