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GermanyBSM100GB120DLCHOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM100GB120DLCHOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 100A 830W
详情
IGBT 模块 半桥 1200 V 100 A 830 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
最后售卖
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
功率 - 最大值
830 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
-
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000100721
BSM100GB120DLC
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM100GB120DLCHOSA1
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价格
数量: 10
单价: $1406.059
包装: 托盘
最小包装数量: 10
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最小包装数量: 10
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