IRF1018EPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRF1018EPBF

摘要

MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB

详情

通孔 N 通道 60 V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

20 周

EDA/CAD 模型

标准包装

100

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

79A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8.4 毫欧 @ 47A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

69 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2290 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

110W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRF1018

其它名称

SP001574502

2156-IRF1018EPBF

ROCIRFIRF1018EPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF1018EPBF

价格

数量: 10000

单价: $4.09217
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $4.25201
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $4.47582
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.79551
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.07428
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.3534
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.428
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.57
包装: 管件
最小包装数量: 1

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单价. : ¥17.09000
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库存 : 44
单价. : ¥24.01000
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制造商 : STMicroelectronics
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替代类型. : 类似

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单价. : ¥16.54000
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SIT8208AI-G1-18S-54.000000X EEE-FK0J471AP ERJ-S08F1741V RBB10DYHN-S1355 346-030-500-112

IRF1018EPBF

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