最后更新
20250709
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
STB21NM50N-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STB21NM50N-1
摘要
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
详情
通孔 N 通道 500 V 18A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1805-STB21NM50N-1
-497-5727
497-5727
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STB21NM50N-1
相关文档
规格书
1(STx21NM50N(-1))
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
HTML 规格书
1(STx21NM50N(-1))
价格
-
替代型号
型号 : SPI21N50C3XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
单价. : ¥41.26000
替代类型. : 类似
相似型号
SUD50N06-09L-E3
TSW-109-22-L-S
TSM-104-02-L-SV-A-P
FC4L64R001JER
2225Y5000271GFR