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GermanyRN1112(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
RN1112(TE85L,F)
摘要
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面贴装型 SSM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
频率 - 跃迁
250 MHz
功率 - 最大值
100 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-75，SOT-416
供应商器件封装
SSM
基本产品编号
RN1112
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
264-RN1112(TE85LF)DKR
264-RN1112(TE85LF)CT
264-RN1112(TE85LF)TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(TE85L,F)
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1(RN1112,1113)
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