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GermanyFDB86569-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB86569-F085
摘要
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） 94W（Tj） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2520 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FDB86569
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDB86569_F085DKR
FDB86569_F085CT
FDB86569-F085DKR
FDB86569-F085CT
FDB86569-F085TR
FDB86569_F085
FDB86569_F085TR-ND
FDB86569_F085DKR-ND
FDB86569_F085TR
FDB86569_F085CT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB86569-F085
相关文档
规格书
1(FDB86569-F085 Datasheet)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
EDA 模型
1(FDB86569-F085 by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
数量: 1
单价: $12.88
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.88
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : NVMFS5C645NT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥16.39441
替代类型. : 直接
库存 : 0
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替代类型. : 直接
型号 : IXTA130N065T2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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制造商 : STMicroelectronics
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
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型号 : STB80NF55-06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥28.30000
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库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : BUK766R0-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥18.21000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥18.21000
替代类型. : 类似