English
Spain
Rusia
Italy
GermanyEFC6612R-A-TF
元器件型号详细信息
原厂型号
EFC6612R-A-TF
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
详情
MOSFET - 阵列 2.5W 表面贴装型 6-CSP（1.77x3.54）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，无引线
供应商器件封装
6-CSP（1.77x3.54）
基本产品编号
EFC6612
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-EFC6612R-A-TF
ONSONSEFC6612R-A-TF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi EFC6612R-A-TF
相关文档
环保信息
()
价格
-
替代型号
-