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GermanyIXFT50N60X
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT50N60X
摘要
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
64 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
73 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
660W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
基本产品编号
IXFT50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFT50N60X
相关文档
规格书
1(IXF(H,Q,T)50N60X)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(IXF(H,Q,T)50N60X)
价格
数量: 300
单价: $77.0563
包装: 管件
最小包装数量: 300
包装: 管件
最小包装数量: 300
替代型号
-