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GermanyBUZ31HXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BUZ31HXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
详情
通孔 N 通道 200 V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
200 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1120 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
95W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000682992
BUZ31H
2156-BUZ31HXKSA1-IT
INFINFBUZ31HXKSA1
BUZ31 H-ND
BUZ31 H
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BUZ31HXKSA1
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规格书
1(BUZ 31 H)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 30/Aug/2013)
HTML 规格书
1(BUZ 31 H)
价格
-
替代型号
型号 : IRF200B211
制造商 : Infineon Technologies
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