English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD65R600E6ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD65R600E6ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ E6
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD65R600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1
相关文档
规格书
1(IPx65R600E6)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Feb/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V E6 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPD70R600P7SAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,370
单价. : ¥7.79000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 3,370
单价. : ¥7.79000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : STD13N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,922
单价. : ¥15.02000
替代类型. : 类似
库存 : 1,922
单价. : ¥15.02000
替代类型. : 类似
型号 : STD11N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,060
单价. : ¥14.31000
替代类型. : 类似
库存 : 2,060
单价. : ¥14.31000
替代类型. : 类似
型号 : FCD7N60TM-WS
制造商 : onsemi
库存 : 10
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似
库存 : 10
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似
型号 : SIHD7N60E-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥7.30201
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.30201
替代类型. : 类似