元器件型号详细信息

原厂型号
IPW65R190C6FKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
240

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
73 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1620 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
151W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPW65R190C6FKSA1-IT
IFEINFIPW65R190C6FKSA1
IPW65R190C6-ND
IPW65R190C6
SP000863902

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPW65R190C6FKSA1

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价格

-

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