IPW65R190C6FKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPW65R190C6FKSA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

详情

通孔 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

240

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 7.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 730µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

73 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1620 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

151W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-3-1

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IPW65R

其它名称

2156-IPW65R190C6FKSA1-IT

IFEINFIPW65R190C6FKSA1

IPW65R190C6-ND

IPW65R190C6

SP000863902

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW65R190C6FKSA1

价格

-

替代型号

型号 : IPW60R180P7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥34.10000
替代类型. : 类似

型号 : IXFH22N65X2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥52.07000
替代类型. : 类似

型号 : STW26NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 426
单价. : ¥59.54000
替代类型. : 类似

型号 : STW24N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 14
单价. : ¥40.94000
替代类型. : 类似

型号 : STW28N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥34.02000
替代类型. : 类似

型号 : IXFX44N80Q3

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥254.72430
替代类型. : 类似

型号 : STW26N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.65000
替代类型. : 类似

型号 : STW28N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3
单价. : ¥33.55000
替代类型. : 类似

型号 : STW31N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 6
单价. : ¥39.67000
替代类型. : 类似

型号 : TK17N65W,S1F

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥30.69000
替代类型. : 类似

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IPW65R190C6FKSA1

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