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GermanyTSM1N45CT A3G
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM1N45CT A3G
摘要
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
详情
通孔 N 通道 450 V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.25 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM1N45CTA3GDKRINACTIVE
TSM1N45CT B0GCT
TSM1N45CT B0GDKRINACTIVE-ND
TSM1N45CTA3GTB
TSM1N45CTA3GCT
TSM1N45CTA3GCTINACTIVE
TSM1N45CT A3GDKRINACTIVE-ND
TSM1N45CT B0GDKR-ND
TSM1N45CT A3GCT-ND
TSM1N45CT A3GCT
TSM1N45CT A3GTB
TSM1N45CT A3GTB-ND
TSM1N45CT B0GCTINACTIVE-ND
TSM1N45CT B0GDKR
TSM1N45CT A3GCTINACTIVE-ND
TSM1N45CT B0GCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45CT A3G
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规格书
1(TSM1N45)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Aug/2018)
价格
-
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