English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPP80R360P7XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP80R360P7XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
详情
通孔 N 通道 800 V 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
84W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP80R360
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFIPP80R360P7XKSA1
SP001633518
2156-IPP80R360P7XKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP80R360P7XKSA1
相关文档
规格书
1(IPP80R360P7)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021)
HTML 规格书
1(IPP80R360P7)
仿真模型
1(MOSFET CoolMOS™ P7 800V Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $10.91395
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $11.34028
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $11.9371
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $14.15408
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.6266
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $20.295
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.58
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : TK14E65W5,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 15
单价. : ¥24.01000
替代类型. : 类似
库存 : 15
单价. : ¥24.01000
替代类型. : 类似
型号 : FCP400N80Z
制造商 : onsemi
库存 : 700
单价. : ¥29.02000
替代类型. : 类似
库存 : 700
单价. : ¥29.02000
替代类型. : 类似
型号 : STP18N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 15
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似
库存 : 15
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似