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GermanyMJD122-1G
元器件型号详细信息
原厂型号
MJD122-1G
摘要
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 8 A 4MHz 1.75 W 表面贴装型 DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
1000 @ 4A，4V
功率 - 最大值
1.75 W
频率 - 跃迁
4MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
基本产品编号
MJD122
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi MJD122-1G
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 30/Jun/2022)
价格
-
替代型号
型号 : MJD122G
制造商 : onsemi
库存 : 5,086
单价. : ¥6.94000
替代类型. : 直接
库存 : 5,086
单价. : ¥6.94000
替代类型. : 直接