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GermanyFGL60N100BNTD
元器件型号详细信息
原厂型号
FGL60N100BNTD
摘要
IGBT 1000V 60A 180W TO264
详情
IGBT NPT 和沟道 1000 V 60 A 180 W 通孔 TO-264-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值
180 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
275 nC
25°C 时 Td（开/关）值
140ns/630ns
测试条件
600V，60A，51 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
1.2 µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264-3
基本产品编号
FGL60N100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FGL60N100BNTDFS
FGL60N100BNTD-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGL60N100BNTD
相关文档
规格书
1(FGL60N100BNTD)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assem/Material Chg 10/Oct/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
-