元器件型号详细信息

原厂型号
DMN6040SK3-13
摘要
MOSFET N CH 60V 20A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 20A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1287 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMN6040

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMN6040SK3-13DICT
DMN6040SK3-13-ND
1034-DMN6040SK3-13DICT
DMN6040SK3-13DITR
DMN6040SK3-13DIDKR
1034-DMN6040SK3-13DITR
1034-DMN6040SK3-13DIDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN6040SK3-13

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规格书
1(DMN6040SK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML 规格书
1(DMN6040SK3)
EDA 模型
1(DMN6040SK3-13 by Ultra Librarian)

价格

数量: 25000
单价: $1.48358
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $1.56472
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1

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