元器件型号详细信息

原厂型号
BSM35GD120DN2
摘要
IGBT MOD 1200V 50A 280W
详情
IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 50 A 280 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
功率 - 最大值
280 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V,35A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM35G

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP000100371
BSM35GD120DN2BOSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM35GD120DN2

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规格书
1(BSM35GD120DN2)
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(BSM35GD120DN2)

价格

-

替代型号

型号 : MWI25-12A7
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥744.09833
替代类型. : 类似