English
Spain
Rusia
Italy
GermanySIDC11D60SIC3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIDC11D60SIC3
摘要
DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER
详情
二极管 600 V 4A 表面贴装型 带箔切割晶片
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,459
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.9 V @ 4 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
200 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
150pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
带箔切割晶片
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
SIDC11
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies SIDC11D60SIC3
相关文档
规格书
1(SIDC11D60SIC3)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
HTML 规格书
1(SIDC11D60SIC3)
价格
-
替代型号
-