English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF6706S2TR1PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6706S2TR1PBF
摘要
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 17A（Ta），63A（Tc） 1.8W（Ta），26W（Tc） DirectFET™ 等容 S1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1810 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），26W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等容 S1
封装/外壳
DirectFET™ 等容 S1
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6706S2TR1PBFCT
IRF6706S2TR1PBFTR
SP001528294
IRF6706S2TR1PBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF
相关文档
规格书
1(IRF6706S2TR(1)PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Gen 10.x Products 12/Dec/2012)
价格
数量: 500
单价: $6.19138
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.3488
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $7.505
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $8.74
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.19138
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.3488
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $7.505
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $8.74
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
-