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GermanyIPB80N04S304ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB80N04S304ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB80N04S3-04-ND
IPB80N04S3-04TR
IFEINFIPB80N04S304ATMA1
IPB80N04S304ATMA1CT
IPB80N04S304ATMA1DKR
IPB80N04S3-04DKR
SP000261217
IPB80N04S3-04DKR-ND
IPB80N04S3-04TR-ND
IPB80N04S304
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S3-04CT
2156-IPB80N04S304ATMA1
IPB80N04S3-04
IPB80N04S304ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N04S304ATMA1
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HTML 规格书
1(IPx80N04S3-04)
仿真模型
1(OptiMOS-T-40V-Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $10.63958
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $11.04881
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $11.86722
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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