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GermanyBSS84XHZGG2CR
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS84XHZGG2CR
摘要
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 230mA（Ta） 1W（Ta） DFN1010-3W
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
34 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN1010-3W
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
BSS84
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor BSS84XHZGG2CR
相关文档
规格书
1(BSS84X HZG)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
视频文件
1(Wettable Flank Package-DFN1010-3W)
特色产品
1(Automotive Ultra-Compact 1 mm² MOSFETs)
价格
数量: 8000
单价: $1.53711
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
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