元器件型号详细信息

原厂型号
IRFH7921TR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Ta),34A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1210 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN(5x6)单芯片焊盘
封装/外壳
8-PowerVDFN

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001554790
IRFH7921TR2PBFDKR
IRFH7921TR2PBFTR
IRFH7921TR2PBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFH7921TR2PBF

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价格

-

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