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元器件型号详细信息
原厂型号
20ETF12
摘要
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
详情
二极管 1200 V 20A 通孔 TO-220AC
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.31 V @ 20 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
400 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商器件封装
TO-220AC
工作温度 - 结
-40°C ~ 150°C
基本产品编号
20ETF12
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
*20ETF12
VS20ETF12-ND
VS-20ETF12
VS-20ETF12-ND
VS20ETF12
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF12
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规格书
1(20ETF Series)
HTML 规格书
1(20ETF Series)
EDA 模型
1(20ETF12 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : VS-20ETF12THM3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-20ETF12-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥27.11000
替代类型. : 参数等效
型号 : DSEI12-12A
制造商 : IXYS
库存 : 16,611
单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似
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