元器件型号详细信息

原厂型号
FCP125N65S3
摘要
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 181W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
125 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1940 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
181W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP125

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

488-FCP125N65S3DKR
488-FCP125N65S3CT
FCP125N65S3-ND
488-FCP125N65S3DKR-ND
488-FCP125N65S3TR
488-FCP125N65S3DKRINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FCP125N65S3

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1(FCP125N65S3)
EDA 模型
1(FCP125N65S3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 2500
单价: $18.08262
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 1250
单价: $19.03436
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 500
单价: $22.5693
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 250
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 100
单价: $26.5121
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 100
单价: $26.5121
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 50
单价: $30.5912
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 50
数量: 10
单价: $32.356
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1

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