English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFH8316TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH8316TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 27A（Ta），50A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.95 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3610 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），59W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001565956
2156-IRFH8316TRPBF
IRFH8316TRPBFDKR
INFINFIRFH8316TRPBF
IRFH8316TRPBFCT
IRFH8316TRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH8316TRPBF
相关文档
规格书
1(IRFH8316PBF)
产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRFH8316PBF)
价格
-
替代型号
型号 : RJK0391DPA-00#J5A
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥8.89515
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.89515
替代类型. : 类似