元器件型号详细信息

原厂型号
SIHF16N50C-E3
摘要
MOSFET N-CH 500V 16A TO220
详情
通孔 N 通道 500 V 16A(Tc) 38W(Tc) TO-220 整包
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
380 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
SIHF16

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHF16N50C-E3

相关文档

规格书
1(SIH(P,B,F)16N50C)
PCN 设计/规格
1(Advisory 20/Mar/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 18/Jul/2017)
HTML 规格书
1(SIH(P,B,F)16N50C)

价格

数量: 1000
单价: $27.11235
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

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