English
Spain
Rusia
Italy
GermanyTPD3215M
元器件型号详细信息
原厂型号
TPD3215M
摘要
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
详情
MOSFET - 阵列 600V 70A（Tc） 470W 通孔 模块
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
技术
GaNFET（氮化镓）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 30A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2260pF @ 100V
功率 - 最大值
470W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
TPD3215
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPH3215M
TPH3215M-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Transphorm TPD3215M
相关文档
规格书
1(TPD3215M)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 02/Apr/2018)
HTML 规格书
1(TPD3215M)
价格
-
替代型号
-