元器件型号详细信息

原厂型号
APTC60HM83FT2G
摘要
MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
详情
MOSFET - 阵列 600V 36A 250W 底座安装 模块
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1

技术参数

制造商
Microsemi Corporation
系列
CoolMOS™
包装
散装
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
83 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
255nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7290pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
APTC60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

APTC60HM83FT2G-ND
150-APTC60HM83FT2G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microsemi Corporation APTC60HM83FT2G

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价格

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