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GermanySSM3J66MFV,L3F
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM3J66MFV,L3F
摘要
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
390毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
VESM
封装/外壳
SOT-723
基本产品编号
SSM3J66
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FTR-ND
SSM3J66MFVL3FCT-ND
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3F
相关文档
规格书
1(SSM3J66MFV Datasheet)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(SSM3J66MFV,L3F by Ultra Librarian)
价格
数量: 200000
单价: $0.36326
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SSM3J66MFV,L3XHF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 14,996
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效