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GermanySI3867DV-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3867DV-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
51 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
SI3867
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3
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规格书
1(SI3867DV)
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
HTML 规格书
1(SI3867DV)
价格
-
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