元器件型号详细信息

原厂型号
TSM018NA03CR RLG
摘要
MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
185A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3479 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
TSM018

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM018NA03CR RLGCT-ND
TSM018NA03CR RLGDKR
TSM018NA03CR RLGDKR-ND
TSM018NA03CR RLGTR
TSM018NA03CR RLGCT
TSM018NA03CRRLGCT
TSM018NA03CRRLGTR
TSM018NA03CRRLGDKR
TSM018NA03CR RLGTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR RLG

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规格书
1(TSM018NA03CR)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 17/Sep/2021)
HTML 规格书
1(TSM018NA03CR)

价格

数量: 10
单价: $10.033
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.21
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.033
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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