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GermanySI2327DS-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI2327DS-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 200 V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.35 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SI2327
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI2327DS-T1-GE3TR
SI2327DST1GE3
SI2327DS-T1-GE3CT
SI2327DS-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI2327DS-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI2327DS)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML 规格书
1(SI2327DS)
价格
-
替代型号
型号 : SI2325DS-T1-GE3
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