IPB100N06S2L05ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB100N06S2L05ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.4毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

230 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5660 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB100N

其它名称

INFINFIPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1TR

IPB100N06S2L-05

IPB100N06S2L-05-ND

2156-IPB100N06S2L05ATMA1

SP000219003

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $8.39155
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $8.71433
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $9.35982
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : IXTA170N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥28.52420
替代类型. : 类似

型号 : IXTA140N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥21.81300
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA230N075T2-7

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥55.57000
替代类型. : 类似

型号 : BUK764R0-55B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,510
单价. : ¥24.64000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA200N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似

型号 : FDB050AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 914
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似

型号 : N0601N-ZK-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥14.02363
替代类型. : 类似

型号 : IXTA230N075T2-7

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥50.95720
替代类型. : 类似

B011-CG30830R5 ERC65121K00DHEK500 FW-09-03-F-D-236-137-P-TR 833-037-558-608 10-107

IPB100N06S2L05ATMA1

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