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GermanyPMV30UN,215
元器件型号详细信息
原厂型号
PMV30UN,215
摘要
MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） SOT-23（TO-236AB）
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 1mA（典型值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.9W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23（TO-236AB）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
PMV3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934057773215
PMV30UN215
PMV30UN T/R-ND
2156-PMV30UN215
568-2353-6
NEXNXPPMV30UN,215
PMV30UN T/R
568-2353-2
568-2353-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PMV30UN,215
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规格书
1(PMV30UN)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMV30UN)
EDA 模型
1(PMV30UN by Ultra Librarian)
价格
-
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